[CNMO科技消息]近日，据外媒报道，三星电子先进技术研究院（SAIT，原三星综合技术院）宣布成功开发出可将NAND闪存功耗降低90%以上的原创新技术。这一突破性研究成果已发表于国际顶级学术期刊《自然》。
据CNMO了解，三星电子SAIT通过将铁电体与氧化物半导体相结合的创新NAND闪存结构，大幅提升了电力效率。NAND闪存通常通过向存储单元注入电子来保存数据，随着存储容量增加和堆叠层数提高，读写数据时的功耗也随之上升。而三星的新技术成功解决了这一行业难题。
三星研究团队发现，虽然氧化物半导体在高性能半导体器件中因阈值电压控制困难被视为弱点，但与铁电体结构结合时，反而成为降低功耗的关键因素。铁电材料即使不施加电力，也能保持正负极性排列（极化）状态，无需持续供电即可保存数据，因此被视作更快速、更高能效的半导体材料。
通过融合氧化物半导体与铁电体结构，三星电子首次在全球明确了可将NAND闪存功耗降低96%的核心机制，在实现高容量NAND的同时，大幅降低功耗成为可能。
公司强调，这是由三星SAIT和半导体研究所共34名研究人员共同参与的纯内部研发成果。首席研究员刘时正表示："我们已确认实现超低功耗NAND闪存的可能性。随着AI生态中存储设备作用越来越大，我们将以产品商业化为目标推进后续研究。"该技术有望广泛应用于人工智能数据中心及移动设备等多个领域，为提升能源效率做出贡献。
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